CHINA Rango de tensión de suministro 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado con capacidad de memoria de 4Mbit

Rango de tensión de suministro 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado con capacidad de memoria de 4Mbit

Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: NOR Flash
Speed: 50ns
CHINA Organización de memoria eficiente 512K X 8 Circuito integrado con tiempo de ciclo de escritura 50μs

Organización de memoria eficiente 512K X 8 Circuito integrado con tiempo de ciclo de escritura 50μs

Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging: Reel
CHINA 50μs Tiempo de ciclo de escritura Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensión - Suministro

50μs Tiempo de ciclo de escritura Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensión - Suministro

Product Type: Flash Memory IC
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
CHINA Circuito integrado SOIC-8 eficiente con 20 años de conservación de datos para necesidades industriales

Circuito integrado SOIC-8 eficiente con 20 años de conservación de datos para necesidades industriales

Product Type: Flash Memory IC
Data Retention: 20 Years
Supply Voltage - Max: 3.6 V
CHINA Circuito integrado NOR Flash 2.7V - 3.6V Tensión - Suministro de memoria confiable

Circuito integrado NOR Flash 2.7V - 3.6V Tensión - Suministro de memoria confiable

Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
Write Cycle Time - Page: 50µs
CHINA Circuito integrado eficiente con 20 años de conservación de datos - Voltado de alimentación mínimo 2,7 V

Circuito integrado eficiente con 20 años de conservación de datos - Voltado de alimentación mínimo 2,7 V

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Mounting Type: Surface Mount
CHINA Voltado de alimentación - Min 2,7 V Circuito integrado para soluciones energéticamente eficientes

Voltado de alimentación - Min 2,7 V Circuito integrado para soluciones energéticamente eficientes

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Memory Capacity: 4Mbit
VIDEO CHINA 50μs Chips de tiempo de ciclo con velocidad de 50ns

50μs Chips de tiempo de ciclo con velocidad de 50ns

Tipo de producto: IC de memoria flash
Velocidad: 50ns
Tipo de la memoria: NI de destello
VIDEO CHINA Capacidad de memoria de 4Mbit 20 años de retención de datos 50ns Chip de velocidad

Capacidad de memoria de 4Mbit 20 años de retención de datos 50ns Chip de velocidad

Montaje del tipo: Soporte superficial
Voltaje - fuente: 2,7 V ~ 3,6 V
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
VIDEO CHINA 50ns Velocidad 512K X 8 Organización de memoria 2,7V-3.6V Chip de suministro de voltaje

50ns Velocidad 512K X 8 Organización de memoria 2,7V-3.6V Chip de suministro de voltaje

Empaquetado: Carrete
Capacidad de memoria: 4Mbit
Escriba la duración de ciclo - palabra: 50 µs
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