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Rango de tensión de suministro 2,7 V - 3,6 V Circuito integrado con capacidad de memoria de 4Mbit
Mounting Type: | Surface Mount |
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Memory Type: | NOR Flash |
Speed: | 50ns |
Organización de memoria eficiente 512K X 8 Circuito integrado con tiempo de ciclo de escritura 50μs
Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
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Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Packaging: | Reel |
50μs Tiempo de ciclo de escritura Circuito integrado 2.7V - 3.6V Tensión - Suministro
Product Type: | Flash Memory IC |
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Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Circuito integrado SOIC-8 eficiente con 20 años de conservación de datos para necesidades industriales
Product Type: | Flash Memory IC |
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Data Retention: | 20 Years |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
Circuito integrado NOR Flash 2.7V - 3.6V Tensión - Suministro de memoria confiable
Package / Case: | SOIC-8 |
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Data Retention: | 20 Years |
Write Cycle Time - Page: | 50µs |
Circuito integrado eficiente con 20 años de conservación de datos - Voltado de alimentación mínimo 2,7 V
Data Retention: | 20 Years |
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Packaging: | Reel |
Mounting Type: | Surface Mount |
Voltado de alimentación - Min 2,7 V Circuito integrado para soluciones energéticamente eficientes
Data Retention: | 20 Years |
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Packaging: | Reel |
Memory Capacity: | 4Mbit |
50μs Chips de tiempo de ciclo con velocidad de 50ns
Tipo de producto: | IC de memoria flash |
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Velocidad: | 50ns |
Tipo de la memoria: | NI de destello |
Capacidad de memoria de 4Mbit 20 años de retención de datos 50ns Chip de velocidad
Montaje del tipo: | Soporte superficial |
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Voltaje - fuente: | 2,7 V ~ 3,6 V |
Voltaje de fuente - máximo: | 3,6 V |
50ns Velocidad 512K X 8 Organización de memoria 2,7V-3.6V Chip de suministro de voltaje
Empaquetado: | Carrete |
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Capacidad de memoria: | 4Mbit |
Escriba la duración de ciclo - palabra: | 50 µs |