Los nuevos pre-conductores de BTS7202 RX Front End Modules y de BTS6403/6305 ofrecen el poder de alto rendimiento, linearidades mejoradas y ruido reducido de ayudar a mejorar calidad de la llamada 5G y velocidad de Internet.
NXP®Los semiconductores de los semiconductores han anunciado su nueva mayor potencia BTS7202 RX Front End Modules (mercado de cambios) y los pre-conductores de BTS6403 /6305 para la subida de salida múltiple de la múltiple-entrada masiva 5G (MIMO) a 20 W por el canal. Convertido y ejecutado en el proceso del germanio del silicio de NXP (SiGe), los dispositivos actúan con el consumo actual modesto para reducir los costes operativos para los operadores de red móviles (MNOs). También ofrecen linearidades mejoradas y la figura de ruido reducida para apoyar una mejor calidad de señal 5G.
A medida que las redes 5G continúan siendo construidas hacia fuera a través del globo, MNOs es cada vez más las soluciones leveraging 32T32R para mejorar cobertura masiva de MIMO en áreas urbanas y suburbanas menos densas. Utilizar las soluciones 32T32R requiere usando los dispositivos de mayor potencia que aumentan el nivel de poder por el canal para alcanzar el poder total requerido para asegurar la cobertura fuerte de la señal 5G.
Los nuevos pre-conductores RX FEMs y BTS6403/6305 de BTS7202 ofrecen una solución completa y fácilmente ejecutada para las estaciones base 5G, complementando las soluciones del amplificador de potencia de NXP para las radios 32T32R. La característica de BTS7202 RX FEMs un interruptor capaz de la dirección hasta 20W del poder que se escapa de transmite las formaciones, reduciendo complejidad de sistema. Los Pre-conductores BTS6305 también integran un balún para reducir costes.