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Soporte superficial cristalino de CY7C68033-56LTXC IC IC USB CTLR NAND IC NX2LP 56QFN
| Modelo: | CY7C68033-56LTXC |
|---|---|
| Tipo de controlador: | Flash NAND-USB |
| Situación del producto: | Activo |
DS1314E+T&R integró el Ctrl nanovoltio W/BATT LUNES Ic Chips Nonvolatile RAM del microprocesador
| Modelo: | DS1314E+T&R |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
VXM7-9032-25M0000000 cristal IC 25 megaciclos 4-SMD cristalino ningún chip CI de la ventaja
| Modelo: | VXM7-9032-25M0000000 |
|---|---|
| Modo operativo: | armónico fundamental |
| Situación del producto: | Activo |
Microprocesador 3V 16 SOIC IC permanente RAM del circuito integrado de DS1314S+T&R
| Modelo: | DS1314S+T&R |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
Regulador cristalino IC nanovoltio 8DIP RAM Through Hole de DS1312+ IC BW RST
| Modelo: | DS1312+ |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
Soporte superficial IC 4.75V ~ 5.5V del nanovoltio 8-SOIC del regulador de DS1312S-2+T&R IC
| Modelo: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
Soporte superficial permanente cristalino del Ctrl nanovoltio 5V 20TSSOP RAM IC de DS1321E+ IC
| Modelo: | DS1321E+ |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
Chip CI EMMC 100-BGA de SM662PXF BESS Pol Module Flash Memory
| Modelo: | SM662PXF BESS |
|---|---|
| Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
| Situación del producto: | Activo |
Paralelo 150 Ns 28-CPGA de memoria Flash de AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC
| Modelo: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnología: | EEPROM |
| Situación del producto: | Activo |
La memoria IC 256Kb de AT28C256-20UM Pol Module 28-CPGA EEPROM es paralelo a 200 Ns
| Modelo: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnología: | EEPROM |
| Situación del producto: | Activo |