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Regulador IC Chip
Soporte superficial IC 4.75V ~ 5.5V del nanovoltio 8-SOIC del regulador de DS1312S-2+T&R IC
| Modelo: | DS1312S-2+T&R |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
Soporte superficial permanente cristalino del Ctrl nanovoltio 5V 20TSSOP RAM IC de DS1321E+ IC
| Modelo: | DS1321E+ |
|---|---|
| Tipo de controlador: | RAM no volátil |
| Situación del producto: | Activo |
Chip CI EMMC 100-BGA de SM662PXF BESS Pol Module Flash Memory
| Modelo: | SM662PXF BESS |
|---|---|
| Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
| Situación del producto: | Activo |
Paralelo 150 Ns 28-CPGA de memoria Flash de AT28C256-15UM Pol Module EEPROM IC
| Modelo: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnología: | EEPROM |
| Situación del producto: | Activo |
La memoria IC 256Kb de AT28C256-20UM Pol Module 28-CPGA EEPROM es paralelo a 200 Ns
| Modelo: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnología: | EEPROM |
| Situación del producto: | Activo |
Memoria EMMC 153-BGA del TLC IC de SM662PXF BFSS IC Nand Flash
| Modelo: | SM662PXF BFSS |
|---|---|
| Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
| Situación del producto: | Activo |
AT28C256E-25UM Pol Module 256Kb EEPROM IC 250 paralelos Ns 28-CPGA
| Modelo: | AT28C256E-25UM/883-815 |
|---|---|
| Tecnología: | EEPROM |
| Situación del producto: | Activo |
Memoria no volátil IC de FEMC512GBE-E530 NAND Memory IC 4Tb 200MHz
| Modelo: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
| Situación del producto: | Activo |
Memoria Flash IC EMMC de SM662PXF Pol Module BFST 153-BGA no volátil
| Modelo: | SM662PXF BFST |
|---|---|
| Tecnología: | FLASH - NAND (TLC) |
| Situación del producto: | Activo |
TLC EMMC 100-BGA de SM662GXF BFSS Nand Flash Memory IC activo
| Modelo: | SM662GXF BFSS |
|---|---|
| Tecnología: | FLASH - NAND (SLC), FLASH - NAND (TLC) |
| Situación del producto: | Activo |