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Microprocesadores de circuito del canal IRF9540NPBF de P 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) a través del agujero TO-220AB
| Lugar de origen | LOS E.E.U.U. |
|---|---|
| Nombre de la marca | Infineon Technologies |
| Certificación | RoHS |
| Número de modelo | IRF9540NPBF |
| Cantidad de orden mínima | 1000 |
| Precio | negotiate |
| Detalles de empaquetado | tubo |
| Tiempo de entrega | 5-8 días del trabajo |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | 2000 |
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xDatos del producto
| Nombre de producto | IRF9540NPBF | Id. Vgs(th) (máx.) | 4V 250µA |
|---|---|---|---|
| Carga de puerta (Qg) (máx.) Vgs | 97 nC 10 V | Vgs (Máx.) | ±20V |
| Rds On (Máx.) ID, Vgs | 117mOhm 11A, 10V | Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Alta luz | Canal IRF9540NPBF de P,IRF9540NPBF a través del agujero,Microprocesadores de circuito 100 V TO-220AB |
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Descripción de producto
P-canal 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) de IRF9540NPBF a través del agujero TO-220AB
La quinta generación HEXFETS de Intemational Rectifieutilize avanzó técnicas de proceso a la en-resistencia achieveextremely baja por área del silicio. Thisbenefit, combinado con el diseño andruggedized rápido del dispositivo de la velocidad que cambia para el cual HEXFET PowerMOSFETS son bien sabido, proporciona el designerwith un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el usein un de par en par vanety de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para los usos allcommercialindustrial en los dissipationlevels del poder a aproximadamente 50 vatios. El thermalresistance bajo y el coste bajo del paquete del TO-220contribute a su aceptación amplia en theindustry.
Especificación de IRF9540NPBF
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Mfr
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Infineon Technologies
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Serie
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HEXFET
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Situación del producto
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Activo
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Tipo del FET
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P-canal
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
|
100 V
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|
Actual - dren continuo (identificación) 25°C
|
23A (Tc)
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|
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
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|
Rds en la identificación (máxima), Vgs
|
117mOhm 11A, 10V
|
|
Identificación (máxima) de Vgs (th)
|
4V 250µA
|
|
Carga de la puerta (Qg) Vgs (máximo)
|
97 nC 10 V
|
|
Vgs (máximo)
|
±20V
|
|
Capacitancia entrada (CISS) Vds (máximo)
|
1300 PF 25 V
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Característica del FET
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-
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|
Disipación de poder (máxima)
|
140W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
|
A través del agujero
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Paquete del dispositivo del proveedor
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TO-220AB
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Paquete/caso
|
TO-220-3
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ORIGINAL
Nuestra compañía se asegura de que cada lote de productos venga de la fábrica original, y puede proporcionar etiquetas originales e informes profesionales de la agencia de prueba.
PRECIO
Proporcionamos una variedad de canales de la cita, y firmamos el contrato de la orden después de la negociación.
TRANSACCIÓN
Después de la comunicación y del acuerdo, le dirigiremos para arreglar el pago.
CICLO DE ENTREGA
La entrega en el mismo día, generalmente 5-12 días laborables, se puede retrasar levemente durante la epidemia, nosotros seguirá el proceso entero.
TRANSPORTE
Elegiremos el modo apropiado del transporte según su país.
EMPAQUETADO
Después de la comunicación con usted, elegiremos el método de empaquetado apropiado según el peso de las mercancías para asegurar la entrega segura de las mercancías.
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