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Memoria asincrónica IC 16Mbit de IC del circuito integrado de CY62167EV30LL-45BVXI
| Lugar de origen | LOS E.E.U.U. |
|---|---|
| Nombre de la marca | Infineon Technologies |
| Certificación | RoHS |
| Número de modelo | CY62167EV30LL-45BVXI |
| Cantidad de orden mínima | 10 |
| Precio | negotiation |
| Detalles de empaquetado | Bandeja |
| Tiempo de entrega | 5-8 días del trabajo |
| Condiciones de pago | T/T |
| Capacidad de la fuente | 2000 |
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xDatos del producto
| Modelo | CY62167EV30LL-45BVXI | Tecnología | SRAM - Asincrónico |
|---|---|---|---|
| Tamaño de la memoria | 16Mbit | Voltaje - fuente | 2.2V ~ 3.6V |
| Alta luz | Circuito integrado IC de CY62167EV30LL-45BVXI,Memoria IC de CY62167EV30LL-45BVXI,Memoria asincrónica IC 16Mbit |
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Descripción de producto
Memoria asincrónica IC 16Mbit 45 paralelos Ns 48-VFBGA (6x8) de CY62167EV30LL-45BVXI
El CY62167EV30 es un Cmos de alto rendimiento RAM estático organizado como palabras del 1M por 16 pedazos o palabras de los 2M por 8 pedazos. Este dispositivo ofrece un diseño de circuito avanzado que proporcione una corriente activa ultrabaja. La corriente activa ultrabaja es ideal para proporcionar más de la vida de batería (MoBL®) en usos portátiles tales como teléfonos portátiles. El dispositivo también tiene un poder automático abajo de la característica que reduce el consumo de energía por el 99 por ciento cuando las direcciones no están conectando. Ponga el dispositivo en modo espera cuando está no reelegido como candidato (el ALTO CE1 o el PUNTO BAJO CE2 o BHE y BLE es ALTOS). Los pernos de entrada y de la salida (I/O0 con I/O15) se colocan en un estado de alta impedancia cuándo: se no reelige como candidato el dispositivo (el ALTO CE1 o CE2 BAJO), las salidas es discapacitado (ALTO de OE), alto del byte permite y el byte Enable baja es discapacitado (ALTO de BHE, de BLE), o a escribe la operación está en curso (el PUNTO BAJO CE1, el ALTO CE2 y NOSOTROS BAJO).
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Categoría
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Circuitos integrados (ICs)
Memoria
Memoria
|
|
Mfr
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Infineon Technologies
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Serie
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MoBL®
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|
Situación del producto
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Activo
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|
Tipo de la memoria
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Volátil
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Formato de la memoria
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SRAM
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Tecnología
|
SRAM - Asincrónico
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Tamaño de la memoria
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16Mbit
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Organización de la memoria
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los 2M x 8, el 1M x 16
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Interfaz de la memoria
|
Paralelo
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Escriba la duración de ciclo - palabra, página
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45ns
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Tiempo de acceso
|
45 ns
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Voltaje - fuente
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2.2V ~ 3.6V
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete/caso
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48-VFBGA
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Paquete del dispositivo del proveedor
|
48-VFBGA (6x8)
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ORIGINAL
Nuestra compañía se asegura de que cada lote de productos venga de la fábrica original, y puede proporcionar etiquetas originales e informes profesionales de la agencia de prueba.
PRECIO
Proporcionamos una variedad de canales de la cita, y firmamos el contrato de la orden después de la negociación.
TRANSACCIÓN
Después de la comunicación y del acuerdo, le dirigiremos para arreglar el pago.
CICLO DE ENTREGA
La entrega en el mismo día, generalmente 5-12 días laborables, se puede retrasar levemente durante la epidemia, nosotros seguirá el proceso entero.
TRANSPORTE
Elegiremos el modo apropiado del transporte según su país.
EMPAQUETADO
Después de la comunicación con usted, elegiremos el método de empaquetado apropiado según el peso de las mercancías para asegurar la entrega segura de las mercancías.
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