- NXP y TSMC desarrollan en común el IP integrado de MRAM en la tecnología de TSMC 16 nanómetro FinFET
- Con MRAM, los fabricantes de automóviles pueden desarrollar más eficientemente nuevas características, acelerar sobre - las actualizaciones del aire (OTA) y quitar embotellamientos de la producción
- La siguiente generación de NXP de los procesadores zonales S32 y MCUs automotriz de fines generales se programan ser el primer producto a muestrear a principios de 2025
NXP anunció hoy su colaboración con TSMC para entregar el primer MRAM integrado automotriz de la industria (memoria de acceso aleatorio magnética) en la tecnología de 16 nanómetro FinFET. Como transición de los fabricantes de coches a los vehículos software-definidos (SDVs), necesitan apoyar las generaciones múltiples de actualizaciones de software en una sola plataforma de hardware. La reunión de los procesadores automotrices de alto rendimiento S32 de NXP con memoria permanente de la siguiente generación rápida y altamente confiable en la tecnología de 16 nanómetro FinFET proporciona la plataforma de hardware ideal para esta transición.
MRAM puede poner al día 20MB del código en ~3 segundos comparados a memorias Flash que tarden cerca de 1 minuto, minimizando el tiempo muerto asociado a las actualizaciones de software y permitiendo a los fabricantes de automóviles eliminar los embotellamientos que se presentan a partir de tiempos programados del módulo largo. Por otra parte, MRAM proporciona una tecnología altamente confiable para los perfiles de misión automotrices ofreciendo hasta un millón ciclos de la actualización, un nivel de la resistencia 10x mayor que flash y otras tecnologías de memoria emergentes.
SDVs permite a los fabricantes de automóviles desarrollar nuevas características de la comodidad, de la seguridad y de la conveniencia vía encima - las actualizaciones del aire (OTA), ampliando la vida del vehículo y aumentando su función, súplica, y rentabilidad. Pues las características basadas en programas llegan a ser más extensas en vehículos, la frecuencia de actualizaciones aumentará, y la velocidad y la robustez de MRAM llegarán a ser aún más importantes.
El 16FinFET de TSMC integró tecnología de MRAM excede los requisitos rigurosos de usos automotrices con su un millón resistencias del ciclo, la ayuda para el flujo de la soldadura, y la retención de 20 datos del año en 150°C.