El primer conductor galvánico aislado de la puerta de STMicroelectronics para los transistores del galio-nitruro (GaN), el STGAP2GS, arregla dimensiones y costes de los cuenta-de-materiales en los usos que exigen eficacia ancha-bandgap superior con seguridad robusta y la protección eléctrica.
El conductor monocanal se puede conectar con un carril de alto voltaje hasta 1200V, o 1700V con la versión del estrecho-cuerpo de STGAP2GSN, y proporciona la puerta-conducción de voltaje hasta 15V. Capaz del hundimiento y de la compra de componentes hasta corriente de la puerta 3A al transistor conectado de GaN, el conductor asegura transiciones que cambian rigurosamente controladas hasta altas frecuencias de funcionamiento.
Con retraso de propagación mínimo a través de la barrera del aislamiento, en apenas 45ns, el STGAP2GS asegura la reacción dinámica rápida. Además, inmunidad transitoria de dV/dt de ±100V/ns sobre los guardias completos de la gama de temperaturas contra cambio indeseado de la puerta del transistor.
El STGAP2GS está disponible con los pernos separados del fregadero y de la fuente para la adaptación fácil de la operación y del funcionamiento de puerta-conducción.
Ahorrando la necesidad de componentes discretos de proporcionar el aislamiento óptico, el conductor de STGAP2GS facilita la adopción de la tecnología eficiente y robusta de GaN en diverso consumidor y usos industriales. Éstos incluyen fuentes de alimentación en servidores del ordenador, equipo de la automatización de fábricas, los conductores del motor, los sistemas solares y de energía eólica, los aparatos electrodomésticos, las fans nacionales, y los cargadores inalámbricos.
Además de integrar el aislamiento galvánico, el conductor también ofrece la protección de sistema incorporada incluyendo cierre termal y el cierre del debajo-voltaje (UVLO) optimizó para la tecnología de GaN, para asegurar confiabilidad y aspereza.
Dos tableros de la demostración, el EVSTGAP2GS y EVSTGAP2GSN, combinan el STGAP2GS estándar y el STGAP2GSN estrecho con el SGT120R65AL 75mΩ, transistores del ST de GaN del aumento-modo 650V para ayudar a usuarios a evaluar las capacidades de los conductores.