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2N7002-7-F soporte SOT-23-3 de la superficie 370mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA)

Name: 2N7002-7-F soporte SOT-23-3 de la superficie 370mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA)
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 2N7002-7-F
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (186 reviews)

Lugar de origen	LOS E.E.U.U.
Nombre de la marca	Diodes Incorporated
Certificación	RoHS
Número de modelo	2N7002-7-F
Cantidad de orden mínima	3000
Precio	negotiate
Detalles de empaquetado	Bobina (TR)
Tiempo de entrega	5-8 días del trabajo
Condiciones de pago	T/T
Capacidad de la fuente	45000

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Datos del producto

Modelo	2N7002-7-F	Tipo FET	Canal N
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V	Corriente - Drenaje continuo (Id) 25°C	115mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Descripción de producto

2N7002-7-F soporte SOT-23-3 de la superficie 370mW (TA) del canal N 60 V 115mA (TA)

Descripción

Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.

Usos

control de motor del 

el  acciona funciones de gestión

Características

En-resistencia baja del 

voltaje bajo del umbral de la puerta del 

capacitancia entrada baja del 

velocidad que cambia rápida del 

pequeño paquete superficial del soporte del 

 totalmente sin plomo y completamente RoHS obediente

halógeno y antimonio del  libres. Dispositivo “verde”

el  calificó a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad

Datos mecánicos

caso del : SOT23

material del caso del : Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0

sensibilidad de humedad del : Llano 1 por J-STD-020

terminales del : Matte Tin Finish recoció sobre el leadframe de la aleación 42 (galjanoplastia sin plomo). Solderable por MIL-STD-202, método 208

conexiones terminales del : Vea el diagrama

peso del : 0,008 gramos (de aproximado)

Categoría	Productos de semiconductor discretos Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr	Diodos incorporados
Serie	-
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	115mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	7.5Ohm @ 50mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	2.5V @ 250µA
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	50 PF @ 25 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	370mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ORIGINAL

Nuestra compañía se asegura de que cada lote de productos venga de la fábrica original, y puede proporcionar etiquetas originales e informes profesionales de la agencia de prueba.

PRECIO

Proporcionamos una variedad de canales de la cita, y firmamos el contrato de la orden después de la negociación.

TRANSACCIÓN

Después de la comunicación y del acuerdo, le dirigiremos para arreglar el pago.

CICLO DE ENTREGA

La entrega en el mismo día, generalmente 5-12 días laborables, se puede retrasar levemente durante la epidemia, nosotros seguirá el proceso entero.

TRANSPORTE

Elegiremos el modo apropiado del transporte según su país.

EMPAQUETADO

Después de la comunicación con usted, elegiremos el método de empaquetado apropiado según el peso de las mercancías para asegurar la entrega segura de las mercancías.