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DMN4800LSSQ-13 soporte 8-SO de la superficie 1.46W (TA) del canal N 30 V 8.6A (TA)

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xDatos del producto
Modelo | DMN4800LSSQ-13 | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 voltios |
---|---|---|---|
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta) | Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5 V, 10 V |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 10V | Disipación de energía (máx.) | 1,46 W (Ta) |
Descripción de producto
DMN4800LSSQ-13 soporte 8-SO de la superficie 1.46W (TA) del canal N 30 V 8.6A (TA)
Descripción
Este MOSFET se diseña para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo ideal para los usos de gran eficacia de la gestión del poder.
Usos
el hacer excursionismo del
el acciona funciones de gestión
convertidores del DC-DC
Características
En-resistencia baja del
capacitancia entrada baja del
velocidad que cambia rápida del
salida baja de la entrada-salida del
totalmente sin plomo y completamente RoHS obediente
halógeno y antimonio del libres. Dispositivo “verde”
el calificó a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad
PPAP capaz
Datos mecánicos
caso del : SO-8
material del caso del : Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0
sensibilidad de humedad del : Llano 1 por J-STD-020
conexiones de terminales del : Vea el diagrama
terminales del : Final - Matte Tin Annealed sobre Leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202, método 208
peso del : 0.072g (aproximado)
Categoría
|
Productos de semiconductor discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
|
Mfr
|
Diodos incorporados
|
Serie
|
Automotriz, AEC-Q101
|
Tipo del FET
|
Canal N
|
Tecnología
|
MOSFET (óxido de metal)
|
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
|
30 V
|
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
|
8.6A (TA)
|
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
|
4.5V, 10V
|
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
|
14mOhm @ 9A, 10V
|
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
|
1.6V @ 250µA
|
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
|
8,7 nC @ 5 V
|
Vgs (máximo)
|
±25V
|
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
|
798 PF @ 10 V
|
Característica del FET
|
-
|
Disipación de poder (máxima)
|
1.46W (TA)
|
Temperatura de funcionamiento
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
Montaje del tipo
|
Soporte superficial
|
Paquete del dispositivo del proveedor
|
8-SO
|
Paquete/caso
|
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
|
ORIGINAL
Nuestra compañía se asegura de que cada lote de productos venga de la fábrica original, y puede proporcionar etiquetas originales e informes profesionales de la agencia de prueba.
PRECIO
Proporcionamos una variedad de canales de la cita, y firmamos el contrato de la orden después de la negociación.
TRANSACCIÓN
Después de la comunicación y del acuerdo, le dirigiremos para arreglar el pago.
CICLO DE ENTREGA
La entrega en el mismo día, generalmente 5-12 días laborables, se puede retrasar levemente durante la epidemia, nosotros seguirá el proceso entero.
TRANSPORTE
Elegiremos el modo apropiado del transporte según su país.
EMPAQUETADO
Después de la comunicación con usted, elegiremos el método de empaquetado apropiado según el peso de las mercancías para asegurar la entrega segura de las mercancías.
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