CHINA Autentificación IC automotriz 6-TDFN de las comunicaciones DS28C36Q+T del establecimiento de una red

Autentificación IC automotriz 6-TDFN de las comunicaciones DS28C36Q+T del establecimiento de una red

Modelo: DS28C36Q+T
Tipo: Microprocesador de la autentificación
Usos: Automotriz
CHINA DS1270Y-70 memoria Flash IC SRAM no volátil IC 16Mb 70ns

DS1270Y-70 memoria Flash IC SRAM no volátil IC 16Mb 70ns

Modelo: DS1270Y-70#
Tecnología: NVSRAM (SRAM permanente)
Tamaño de la memoria: 16Mb (los 2M x 8)
CHINA FLASH NAND Memory IC 128Gb de 48-TSOP MT29F128G08AJAAAWP ITZ A (paralelo de 16G X 8)

FLASH NAND Memory IC 128Gb de 48-TSOP MT29F128G08AJAAAWP ITZ A (paralelo de 16G X 8)

Modelo: MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:
Tecnología: FLASH - NAND
Tamaño de la memoria: 128Gb (16G x 8)
CHINA TLC EMMC 100-BGA de SM662PEF BESS Flash Memory IC Nand Flash

TLC EMMC 100-BGA de SM662PEF BESS Flash Memory IC Nand Flash

Modelo: BESS DE SM662PEF
Tecnología: FLASH - NAND (TLC)
interfaz de memoria: EMMC
CHINA Bandeja DE DESTELLO de IC de la memoria de 128GBIT THGAMVG7T13BAIL IC EMMC 153FBGA

Bandeja DE DESTELLO de IC de la memoria de 128GBIT THGAMVG7T13BAIL IC EMMC 153FBGA

Modelo: THGAMVG7T13BAIL
Embalaje: Bandeja
Situación del producto: Activo
CHINA Base Chip Automotive PG-TSDSO-24-1 del sistema del SBC de RoHS TLE9461ESXUMA1 Lite

Base Chip Automotive PG-TSDSO-24-1 del sistema del SBC de RoHS TLE9461ESXUMA1 Lite

mdoel: TLE9461ESXUMA1
Tipo: Microprocesador de la base del sistema (SBC)
Usos: Automotriz
CHINA Driver de dispositivo de 80-HTQFP DLPA200PFP 3D DMD Digitaces Micromirror

Driver de dispositivo de 80-HTQFP DLPA200PFP 3D DMD Digitaces Micromirror

Modelo: DLPA200PFP
Tipo: Dispositivo de Digitaces Micromirror (DMD), conductor
Usos: Automotriz
CHINA Memoria Flash IC 6-TDFN Chip Medical Surface Mount automotriz de DS28E50Q+T

Memoria Flash IC 6-TDFN Chip Medical Surface Mount automotriz de DS28E50Q+T

Modelo: DS28E50Q+T
Tipo: Microprocesador de la autentificación
Usos: Automotriz
VIDEO CHINA Circuito integrado de tipo NOR de memoria flash - tensión mínima de alimentación de 2,7 V

Circuito integrado de tipo NOR de memoria flash - tensión mínima de alimentación de 2,7 V

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
VIDEO CHINA Circuito integrado de memoria flash IC con tiempo de ciclo de escritura de 50 μS

Circuito integrado de memoria flash IC con tiempo de ciclo de escritura de 50 μS

Escriba la duración de ciclo - palabra: 50 µs
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
Velocidad: 50ns
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