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Circuito integrado de embalaje de bobina con paquete/caja SOIC-8 en competitivo
| Memory Capacity: | 4Mbit |
|---|---|
| Mounting Type: | Surface Mount |
| Product Type: | Flash Memory IC |
Rollo de embalaje para circuito integrado con 20 años de conservación de datos
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
|---|---|
| Product Type: | Flash Memory IC |
| Packaging: | Reel |
2.7 V Tensión de alimentación - Min Circuito integrado para un rendimiento fiable
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
Circuito integrado de tipo NOR de memoria flash - tensión mínima de alimentación de 2,7 V
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Memory Capacity: | 4Mbit |
| Write Cycle Time - Word: | 50µs |
Circuito integrado de memoria flash IC con tiempo de ciclo de escritura de 50 μS
| Escriba la duración de ciclo - palabra: | 50 µs |
|---|---|
| Voltaje de fuente - máximo: | 3,6 V |
| Velocidad: | 50ns |
Envase de bobina chip de circuito integrado con 20 años de conservación de datos
| Escribir el tiempo del ciclo - página: | 50 µs |
|---|---|
| Escriba la duración de ciclo - palabra: | 50 µs |
| Capacidad de memoria: | 4Mbit |
4Mbit IC de memoria flash 3.6V Voltado de alimentación máximo
| Empaquetado: | Carrete |
|---|---|
| Escribir el tiempo del ciclo - página: | 50 µs |
| Tipo de la memoria: | NI de destello |
Circuito integrado SOIC-8 512K X 8 50ns
| Velocidad: | 50ns |
|---|---|
| Escriba la duración de ciclo - palabra: | 50 µs |
| Retención de los datos: | 20 años |
2.7V Envases de bobinas de circuito integrado
| Tipo de la memoria: | NI de destello |
|---|---|
| Voltaje de fuente - máximo: | 3,6 V |
| Tipo de producto: | IC de memoria flash |
Circuito integrado de embalaje de bobina disponible con 512K X 8 Organización de memoria
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Data Retention: | 20 Years |