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VIDEO CHINA Circuito integrado de embalaje de carrete con tipo de memoria flash NOR

Circuito integrado de embalaje de carrete con tipo de memoria flash NOR

Memory Organization: 512K X 8
Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
VIDEO CHINA Voltado - Alimentación 2.7 V - 3.6 V Circuito integrado con almacenamiento de datos extendido

Voltado - Alimentación 2.7 V - 3.6 V Circuito integrado con almacenamiento de datos extendido

Package / Case: SOIC-8
Memory Type: NOR Flash
Mounting Type: Surface Mount
CHINA 2.7 V Tensión de alimentación - Min Circuito integrado para un rendimiento fiable

2.7 V Tensión de alimentación - Min Circuito integrado para un rendimiento fiable

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
CHINA Circuito integrado de tipo NOR de memoria flash - tensión mínima de alimentación de 2,7 V

Circuito integrado de tipo NOR de memoria flash - tensión mínima de alimentación de 2,7 V

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
CHINA Circuito integrado de memoria flash IC con tiempo de ciclo de escritura de 50 μS

Circuito integrado de memoria flash IC con tiempo de ciclo de escritura de 50 μS

Escriba la duración de ciclo - palabra: 50 µs
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
Velocidad: 50ns
CHINA Envase de bobina chip de circuito integrado con 20 años de conservación de datos

Envase de bobina chip de circuito integrado con 20 años de conservación de datos

Escribir el tiempo del ciclo - página: 50 µs
Escriba la duración de ciclo - palabra: 50 µs
Capacidad de memoria: 4Mbit
CHINA 4Mbit IC de memoria flash 3.6V Voltado de alimentación máximo

4Mbit IC de memoria flash 3.6V Voltado de alimentación máximo

Empaquetado: Carrete
Escribir el tiempo del ciclo - página: 50 µs
Tipo de la memoria: NI de destello
CHINA Circuito integrado SOIC-8 512K X 8 50ns

Circuito integrado SOIC-8 512K X 8 50ns

Velocidad: 50ns
Escriba la duración de ciclo - palabra: 50 µs
Retención de los datos: 20 años
CHINA 2.7V Envases de bobinas de circuito integrado

2.7V Envases de bobinas de circuito integrado

Tipo de la memoria: NI de destello
Voltaje de fuente - máximo: 3,6 V
Tipo de producto: IC de memoria flash
CHINA Circuito integrado de embalaje de bobina disponible con 512K X 8 Organización de memoria

Circuito integrado de embalaje de bobina disponible con 512K X 8 Organización de memoria

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
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