CHINA Circuito integrado Ic del microprocesador 8-SOIC del compañero de la seguridad de AT88SC118-SH-CN-T

Circuito integrado Ic del microprocesador 8-SOIC del compañero de la seguridad de AT88SC118-SH-CN-T

Modelo: AT88SC118-SH-CN-T
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Microprocesador de la autentificación del almacenamiento 3-SMD del circuito integrado de ATSHA204A-RBHCZ-B

Microprocesador de la autentificación del almacenamiento 3-SMD del circuito integrado de ATSHA204A-RBHCZ-B

Modelo: ATSHA204A-RBHCZ-B
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Protección Ic 6-TDFN IC automotriz de la sobretensión de MAX6495ATT/V+

Protección Ic 6-TDFN IC automotriz de la sobretensión de MAX6495ATT/V+

Modelo: MAX6495ATT/V+
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Soporte superficial médico del chip CI 8-TDFN Ic de la autentificación de DS28E35Q+T

Soporte superficial médico del chip CI 8-TDFN Ic de la autentificación de DS28E35Q+T

Modelo: DS28E35Q+T
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Protección Chip Networking del almacenamiento 22-FCQFN del circuito integrado de MAX16545BGPF+

Protección Chip Networking del almacenamiento 22-FCQFN del circuito integrado de MAX16545BGPF+

Modelo: MAX16545BGPF+
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Conductor CS8190ENF16G 16-PDIP automotriz a través del agujero IC Onsemi

Conductor CS8190ENF16G 16-PDIP automotriz a través del agujero IC Onsemi

Modelo: CS8190ENF16G
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Soporte de banda ancha de la superficie del almacenamiento 72-LFCSP-VQ IC del circuito integrado de AD9961BCPZRL

Soporte de banda ancha de la superficie del almacenamiento 72-LFCSP-VQ IC del circuito integrado de AD9961BCPZRL

Modelo: AD9961BCPZRL
Usos: Automotriz
Situación del producto: Activo
CHINA Memoria de circuito integrado de alta velocidad: velocidad de transferencia de datos de 1,8 ms Capacidad de 2 GB

Memoria de circuito integrado de alta velocidad: velocidad de transferencia de datos de 1,8 ms Capacidad de 2 GB

Capacity: 2Gb
Data Retention: 166 MHz
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Memoria de circuito integrado de grado industrial de 2 GB Temperatura de funcionamiento de -40°C a 125°C

Memoria de circuito integrado de grado industrial de 2 GB Temperatura de funcionamiento de -40°C a 125°C

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Acceso a datos eficiente 2 GB de memoria de circuito integrado con velocidad de 1.8 ms

Acceso a datos eficiente 2 GB de memoria de circuito integrado con velocidad de 1.8 ms

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Voltage: 1.7V ~ 2V
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