CHINA Almacenamiento y transferencia de datos eficientes con memoria de circuito integrado

Almacenamiento y transferencia de datos eficientes con memoria de circuito integrado

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
CHINA Recuerdo de circuito integrado de 166 MHz con tiempo de acceso no volátil

Recuerdo de circuito integrado de 166 MHz con tiempo de acceso no volátil

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
CHINA Capacidad de circuito integrado de memoria de 2 GB Rendimiento potente a 1,7 V - 2 V

Capacidad de circuito integrado de memoria de 2 GB Rendimiento potente a 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Memoria de circuito integrado no volátil Acceso fiable a datos con voltaje de 1,7 V - 2 V

Memoria de circuito integrado no volátil Acceso fiable a datos con voltaje de 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
VIDEO CHINA Memoria de circuito integrado no volátil con retención de datos de 166 MHz y voltaje de 1,7 V ~ 2 V

Memoria de circuito integrado no volátil con retención de datos de 166 MHz y voltaje de 1,7 V ~ 2 V

Tasa de transferencia de los datos: 1.8ms
Gama de temperaturas de funcionamiento: -40 °C ~ 125 °C (TA)
Tiempo de acceso: Permanente
VIDEO CHINA Almacenamiento de circuito integrado 166MHz Conservación de datos 1.7V-2V

Almacenamiento de circuito integrado 166MHz Conservación de datos 1.7V-2V

Tasa de transferencia de los datos: 1.8ms
Retención de los datos: 166 megaciclos
Voltaje: 1.7V ~ 2V
CHINA Introducción de la memoria de circuito integrado con capacidad de 2 GB para almacenamiento eficiente de datos

Introducción de la memoria de circuito integrado con capacidad de 2 GB para almacenamiento eficiente de datos

Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Tiempo de acceso no volátil Solución de memoria de circuito integrado Gestión eficiente de datos

Tiempo de acceso no volátil Solución de memoria de circuito integrado Gestión eficiente de datos

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Memoria de circuito integrado de alto rendimiento de 1,8 ms Tasa de transferencia 166 MHz Retención de datos

Memoria de circuito integrado de alto rendimiento de 1,8 ms Tasa de transferencia 166 MHz Retención de datos

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Data Transfer Rate: 1.8ms
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Tiempo de acceso Memoria de circuito integrado no volátil con almacenamiento de circuito integrado

Tiempo de acceso Memoria de circuito integrado no volátil con almacenamiento de circuito integrado

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
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