CHINA Memoria de circuito integrado de 2 GB de capacidad con rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a 125 °C

Memoria de circuito integrado de 2 GB de capacidad con rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a 125 °C

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Tensión 1.7V - 2V Memoria de circuito integrado 2Gb para almacenamiento eficiente de datos

Tensión 1.7V - 2V Memoria de circuito integrado 2Gb para almacenamiento eficiente de datos

Capacity: 2Gb
Data Retention: 166 MHz
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA 1.7V-2V Almacenamiento de circuito integrado MT25QU02GCBB8E12-0AUT

1.7V-2V Almacenamiento de circuito integrado MT25QU02GCBB8E12-0AUT

El tipo: Almacenamiento del circuito integrado
Rango de temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 125 °C (TA)
Capacidad: 2GB
CHINA Memoria de circuito integrado confiable 1,8 ms Tasa de transferencia de datos

Memoria de circuito integrado confiable 1,8 ms Tasa de transferencia de datos

Rango de temperatura de funcionamiento: -40 °C ~ 125 °C (TA)
Tasa de transferencia de datos: 1.8ms
Válvula de tensión: 1.7V ~ 2V
CHINA Memoria de circuito integrado de retención de datos de 166 MHz

Memoria de circuito integrado de retención de datos de 166 MHz

El tipo: Almacenamiento del circuito integrado
Capacidad: 2GB
Válvula de tensión: 1.7V ~ 2V
CHINA Capacidad de memoria de circuito integrado de resistencia industrial de 2 GB

Capacidad de memoria de circuito integrado de resistencia industrial de 2 GB

Retención de los datos: 166 MHz
Tasa de transferencia de datos: 1.8ms
Tiempo de acceso: No volátiles
CHINA Solución de memoria de circuito integrado - Capacidad de 2 GB para operaciones eficientes

Solución de memoria de circuito integrado - Capacidad de 2 GB para operaciones eficientes

Type: Integrated Circuit Storage
Voltage: 1.7V ~ 2V
Capacity: 2Gb
CHINA Confiable de 166 MHz de retención de datos 2 GB de circuito integrado de memoria para el procesamiento de alta velocidad

Confiable de 166 MHz de retención de datos 2 GB de circuito integrado de memoria para el procesamiento de alta velocidad

Voltage: 1.7V ~ 2V
Access Time: Non-Volatile
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Memoria de circuito integrado de alta velocidad de 166 MHz para almacenamiento eficiente

Memoria de circuito integrado de alta velocidad de 166 MHz para almacenamiento eficiente

Data Transfer Rate: 1.8ms
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memoria de circuito integrado confiable y eficiente 2 GB Capacidad 1,8 ms Tasa de transferencia de datos

Memoria de circuito integrado confiable y eficiente 2 GB Capacidad 1,8 ms Tasa de transferencia de datos

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Retention: 166 MHz
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