CHINA Memoria de circuito integrado duradero con retención de datos de larga duración 166 MHz

Memoria de circuito integrado duradero con retención de datos de larga duración 166 MHz

Type: Integrated Circuit Storage
Data Transfer Rate: 1.8ms
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memoria de circuito integrado de 2 GB para almacenamiento de datos confiable y optimizado

Memoria de circuito integrado de 2 GB para almacenamiento de datos confiable y optimizado

Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Retención de datos 166 MHz con memoria de circuito integrado con almacenamiento

Retención de datos 166 MHz con memoria de circuito integrado con almacenamiento

Voltage: 1.7V ~ 2V
Type: Integrated Circuit Storage
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
CHINA Memoria de circuito integrado de alto rendimiento con retención de datos no volátiles de 166 MHz

Memoria de circuito integrado de alto rendimiento con retención de datos no volátiles de 166 MHz

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Transfer Rate: 1.8ms
CHINA Memoria de circuito integrado de retención de datos de 166 MHz para mejorar el rendimiento

Memoria de circuito integrado de retención de datos de 166 MHz para mejorar el rendimiento

Access Time: Non-Volatile
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Memoria de circuito integrado de alto rendimiento para tareas exigentes

Memoria de circuito integrado de alto rendimiento para tareas exigentes

Data Retention: 166 MHz
Operating Temperature Range: -40°C ~ 125°C(TA)
Voltage: 1.7V ~ 2V
CHINA Memoria de circuito integrado compacto con 1,7 V - 2 V de tensión de 166 MHz

Memoria de circuito integrado compacto con 1,7 V - 2 V de tensión de 166 MHz

Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
Type: Integrated Circuit Storage
CHINA Almacenamiento y transferencia de datos eficientes con memoria de circuito integrado

Almacenamiento y transferencia de datos eficientes con memoria de circuito integrado

Capacity: 2Gb
Access Time: Non-Volatile
Data Retention: 166 MHz
CHINA Recuerdo de circuito integrado de 166 MHz con tiempo de acceso no volátil

Recuerdo de circuito integrado de 166 MHz con tiempo de acceso no volátil

Voltage: 1.7V ~ 2V
Data Transfer Rate: 1.8ms
Access Time: Non-Volatile
CHINA Capacidad de circuito integrado de memoria de 2 GB Rendimiento potente a 1,7 V - 2 V

Capacidad de circuito integrado de memoria de 2 GB Rendimiento potente a 1,7 V - 2 V

Data Retention: 166 MHz
Capacity: 2Gb
Voltage: 1.7V ~ 2V
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